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零下267.56度时,接近磁奇点,发现“奇异角磁电阻”效应!

www.hurenscout.com2019-08-20
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在许多材料中,电阻和电压在存在磁场时改变,并且通常随着磁场旋转而平滑地改变。这种简单的磁响应是许多应用的基础,包括非接触电流检测,运动检测和数据存储。

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在晶体中,电荷和自旋排列以及电子的相互作用是这些效应的基础。这种对称性对准的使用是设计用于电子和新兴自旋电子学(自旋电子学)的功能材料的关键因素。

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现在是麻省理工学院(MIT),法国国家科学研究中心(CNRS),加州大学圣巴巴拉分校(UCSB),香港科技大学(HKUST)的一组研究人员,麻省理工学院的NIST中子研究中心由学院物理学助理教授Joseph G. Checkelsky领导,他在由铋,铝,锑和硅组成的晶体中发现了一种新型的磁驱动电响应。

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当温度低于5.6k(-267.56℃)时,当磁场沿晶体的高对称方向精确对准1度角时,这些晶体的电阻率急剧增加。研究人员称之为“奇异角磁阻”的这种效应可归因于对称性,尤其是氦原子磁矩的顺序。他的研究结果于2019年6月21日在[21x9A8B]上发表。

就像一个设计为12点钟的老式时钟,指针没有其他位置。只有当磁场的方向或矢量与材料的晶体结构的高对称轴一致时,才会出现新发现的磁阻。当轴转动超过一度时,电阻急剧下降。 Chequersky集团的研究科学家Suzuki 件下建立一个独特的州。

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磁电阻是施加磁场时材料电阻的变化。一种称为巨磁阻的相关效应是现代计算机硬盘的基础,它的发现者在2007年获得了诺贝尔奖。在这种材料中,观察到的增强受到沿着晶轴的磁场高度的限制,强烈暗示对称性发挥作用。关键角色。为了阐明对称性的作用,重要的是要看到磁矩的排列。 Suzuki Township和NIST研究员Jeffrey Lynn使用BT-7三轴光谱仪在NIST中子研究中心(NCNR)进行磁矩。粉末中子衍射研究。该团队使用NCNR的中子衍射功能来确定材料的磁性结构。

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这在理解材料的拓扑性质和磁畴性质方面起着至关重要的作用。 “拓扑状态”是一种不受普通紊乱影响的状态,是揭示奇异反应机制的关键因素。基于观察到的有序模式,萨瓦里人才和莱昂人才,教授和UCSB卡夫利理论物理研究所的常任理事,构建了一个理论模型,其中由有序磁矩对引起的自发对称损伤和磁场以及拓扑电子结构。通过精确地控制磁场的方向,可以在均匀和有序的低电阻和高电阻状态之间切换。模型与实验结果的一致性非常突出,这是理解什么是神秘实验观察的关键。

有趣的问题是角磁阻的奇异性是否可以在磁性材料中广泛观察到。如果通常可以观察到这种性质,那么制造这种效果材料的关键因素是什么。理论模型表明,其他材料中确实存在奇异响应,并预测有利于实现这一目标的材料特性。其中一个重要组件是具有少量自由电荷的电子结构,其发生在称为节点的点状电子结构中。该研究中的材料具有所谓的Weyl点以实现这一点,其中允许电子迁移率取决于磁性序列的结构。

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这些电荷的动量由磁自由度控制,使系统能够支持可切换的界面区域,其中不同磁畴域之间的动量不匹配。这种不匹配还导致本研究中观察到的抗性大幅增加。香港科技大学研究助理教授刘建鹏和人才的第一原理电子结构计算进一步支持了上述分析。使用更传统的磁性元素,例如铁或钴,而不是稀土镧,可以提供在较高温度下观察奇异角度磁阻效应的潜在方法。该研究还排除了原子排列的变化,结构相变,是铋基材料电阻率变化的原因。

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波士顿大学物理学副教授兼研究生课程主任Kenneth Burch研究了Will的材料。这一结果不仅表明微元素半金属在磁感应中的新应用,而且还表现出电子传输,手性和磁性的独特耦合。手性是与自旋相关的电子的一个方面,其导致电子具有左手或右手方向。这种尖锐但窄阻抗峰值的发现最终可能被工程师用作磁传感器的新范例。关于磁性基础知识的令人兴奋的事情是新技术可能很快被采用。根据当前的设计原则,在更强大的系统中寻找这种现象来释放这种潜力。

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0.6

2019.08.06 09: 46

字数1639

在许多材料中,电阻和电压在存在磁场时改变,并且通常随着磁场旋转而平滑地改变。这种简单的磁响应是许多应用的基础,包括非接触电流检测,运动检测和数据存储。

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在晶体中,电荷和自旋排列以及电子的相互作用是这些效应的基础。这种对称性对准的使用是设计用于电子和新兴自旋电子学(自旋电子学)的功能材料的关键因素。

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现在是麻省理工学院(MIT),法国国家科学研究中心(CNRS),加州大学圣巴巴拉分校(UCSB),香港科技大学(HKUST)的一组研究人员,麻省理工学院的NIST中子研究中心由学院物理学助理教授Joseph G. Checkelsky领导,他在由铋,铝,锑和硅组成的晶体中发现了一种新型的磁驱动电响应。

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当温度低于5.6k(-267.56℃)时,当磁场沿晶体的高对称方向精确对准1度角时,这些晶体的电阻率急剧增加。研究人员称之为“奇异角磁阻”的这种效应可归因于对称性,尤其是氦原子磁矩的顺序。他的研究结果于2019年6月21日在[21x9A8B]上发表。

就像一个设计为12点钟的老式时钟,指针没有其他位置。只有当磁场的方向或矢量与材料的晶体结构的高对称轴一致时,才会出现新发现的磁阻。当轴转动超过一度时,电阻急剧下降。 Chequersky集团的研究科学家Suzuki 件下建立一个独特的州。

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磁电阻是施加磁场时材料电阻的变化。一种称为巨磁阻的相关效应是现代计算机硬盘的基础,它的发现者在2007年获得了诺贝尔奖。在这种材料中,观察到的增强受到沿着晶轴的磁场高度的限制,强烈暗示对称性发挥作用。关键角色。为了阐明对称性的作用,重要的是要看到磁矩的排列。 Suzuki Township和NIST研究员Jeffrey Lynn使用BT-7三轴光谱仪在NIST中子研究中心(NCNR)进行磁矩。粉末中子衍射研究。该团队使用NCNR的中子衍射功能来确定材料的磁性结构。

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这在理解材料的拓扑性质和磁畴性质方面起着至关重要的作用。 “拓扑状态”是一种不受普通紊乱影响的状态,是揭示奇异反应机制的关键因素。基于观察到的有序模式,萨瓦里人才和莱昂人才,教授和UCSB卡夫利理论物理研究所的常任理事,构建了一个理论模型,其中由有序磁矩对引起的自发对称损伤和磁场以及拓扑电子结构。通过精确地控制磁场的方向,可以在均匀和有序的低电阻和高电阻状态之间切换。模型与实验结果的一致性非常突出,这是理解什么是神秘实验观察的关键。

有趣的问题是角磁阻的奇异性是否可以在磁性材料中广泛观察到。如果通常可以观察到这种性质,那么制造这种效果材料的关键因素是什么。理论模型表明,其他材料中确实存在奇异响应,并预测有利于实现这一目标的材料特性。其中一个重要组件是具有少量自由电荷的电子结构,其发生在称为节点的点状电子结构中。该研究中的材料具有所谓的Weyl点以实现这一点,其中允许电子迁移率取决于磁性序列的结构。

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这些电荷的动量由磁自由度控制,使系统能够支持可切换的界面区域,其中不同磁畴域之间的动量不匹配。这种不匹配还导致本研究中观察到的抗性大幅增加。香港科技大学研究助理教授刘建鹏和人才的第一原理电子结构计算进一步支持了上述分析。使用更传统的磁性元素,例如铁或钴,而不是稀土镧,可以提供在较高温度下观察奇异角度磁阻效应的潜在方法。该研究还排除了原子排列的变化,结构相变,是铋基材料电阻率变化的原因。

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波士顿大学物理学副教授兼研究生课程主任Kenneth Burch研究了Will的材料。这一结果不仅表明微元素半金属在磁感应中的新应用,而且还表现出电子传输,手性和磁性的独特耦合。手性是与自旋相关的电子的一个方面,其导致电子具有左手或右手方向。这种尖锐但窄阻抗峰值的发现最终可能被工程师用作磁传感器的新范例。关于磁性基础知识的令人兴奋的事情是新技术可能很快被采用。根据当前的设计原则,在更强大的系统中寻找这种现象来释放这种潜力。

在许多材料中,电阻和电压在存在磁场时改变,并且通常随着磁场旋转而平滑地改变。这种简单的磁响应是许多应用的基础,包括非接触电流检测,运动检测和数据存储。

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在晶体中,电荷和自旋排列以及电子的相互作用是这些效应的基础。这种对称性对准的使用是设计用于电子和新兴自旋电子学(自旋电子学)的功能材料的关键因素。

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现在是麻省理工学院(MIT),法国国家科学研究中心(CNRS),加州大学圣巴巴拉分校(UCSB),香港科技大学(HKUST)的一组研究人员,麻省理工学院的NIST中子研究中心由学院物理学助理教授Joseph G. Checkelsky领导,他在由铋,铝,锑和硅组成的晶体中发现了一种新型的磁驱动电响应。

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当温度低于5.6k(-267.56℃)时,当磁场沿晶体的高对称方向精确对准1度角时,这些晶体的电阻率急剧增加。研究人员称之为“奇异角磁阻”的这种效应可归因于对称性,尤其是氦原子磁矩的顺序。他的研究结果于2019年6月21日在[21x9A8B]上发表。

就像一个设计为12点钟的老式时钟,指针没有其他位置。只有当磁场的方向或矢量与材料的晶体结构的高对称轴一致时,才会出现新发现的磁阻。当轴转动超过一度时,电阻急剧下降。 Chequersky集团的研究科学家Suzuki 件下建立一个独特的州。

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磁电阻是施加磁场时材料电阻的变化。一种称为巨磁阻的相关效应是现代计算机硬盘的基础,它的发现者在2007年获得了诺贝尔奖。在这种材料中,观察到的增强受到沿着晶轴的磁场高度的限制,强烈暗示对称性发挥作用。关键角色。为了阐明对称性的作用,重要的是要看到磁矩的排列。 Suzuki Township和NIST研究员Jeffrey Lynn使用BT-7三轴光谱仪在NIST中子研究中心(NCNR)进行磁矩。粉末中子衍射研究。该团队使用NCNR的中子衍射功能来确定材料的磁性结构。

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有趣的问题是角磁阻的奇异性是否可以在磁性材料中广泛观察到。如果通常可以观察到这种性质,那么制造这种效果材料的关键因素是什么。理论模型表明,其他材料中确实存在奇异响应,并预测有利于实现这一目标的材料特性。其中一个重要组件是具有少量自由电荷的电子结构,其发生在称为节点的点状电子结构中。该研究中的材料具有所谓的Weyl点以实现这一点,其中允许电子迁移率取决于磁性序列的结构。

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这些电荷的动量由磁自由度控制,使系统能够支持可切换的界面区域,其中不同磁畴域之间的动量不匹配。这种不匹配还导致本研究中观察到的抗性大幅增加。香港科技大学研究助理教授刘建鹏和人才的第一原理电子结构计算进一步支持了上述分析。使用更传统的磁性元素,例如铁或钴,而不是稀土镧,可以提供在较高温度下观察奇异角度磁阻效应的潜在方法。该研究还排除了原子排列的变化,结构相变,是铋基材料电阻率变化的原因。

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